直播背景：

近年来，为应对气候变化所带来的影响，世界上许多国家都宣布了其碳减排目标。为了实现无碳社会，最大限度地利用太阳能、风能和其他可再生能源，加快电动汽车的普及以及发展电动汽车充电基础设施，开发节能、绿色的数字和信息通信技术系统成为有效手段。功率半导体器件可传输和控制电力，对于降低各种汽车和工业电气应用的能源消耗至关重要。碳化硅功率器件与现在占据主导地位的硅功率器件相比，具有更好的物理特性，有助于电动汽车的轻量化、单次充电的续航里程的增加，以及数据中心电源效率的提高等。因此，碳化硅半导体功率器件在功率器件中的应用范围正在逐渐扩大。东芝第三代SiC MOSFET拥有更低的功耗，支持如开关电源（数据中心服务器、通信设备等）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动汽车充电站等各种高功率密度应用。

本次研讨会上我们将重点介绍东芝第三代SiC MOSFET/SBD的技术特性及其应用场景。

技术亮点：

1、采用内置SBD的结构，有效提高了Rds_(on)的稳定性

2、更低的Rds_(on)*Q_gd, 实现更低功耗和更快的开关速度

3、更宽的栅源电压范围：-10V ~ +25V

学习收获：

通过本次直播，加速了解碳化硅及其应用领域。