作为最早的开关电源拓扑之一，从三极管 RCC、MOSFET PWM/ZVS、发展到现在第三代有源钳位 ZVS，常用磁材从 R2KB 发展到PC200，工作频率从 18kHz 进化到 500kHz。无论是磁还是电都发生了巨大变化。磁和电究竟经历了那些进化？3.0 时代如何合理的设计？本次课程将揭示 3.0 反激拓扑理论和设计精要。

1.反激式开关原理概述

2.从工作波形看MOSFET损耗
2.1“ON”与“OFF”中的 Qg、Rg 与动态 RDS
2.2 Coss 与分布 LC
2.3 MOSFET 驱动、频率与损耗
2.4 MOSFET 优化选型

3.基本磁路计算及变压器设计

4.真实的磁路损耗分析概述及优化设计
4.1 变压器内磁场分布概论
4.2 基于磁链分析的变压器耦合、半耦合、自耦及反射
4.3 变压器损耗概述及优化设计

5.MOSFET+变压器，系统优化
5.1 CCM、DCM、准谐振
5.2 有源钳位、无源钳位与无损钳位

6.基于高效理论通用电源实操

7.高效高宽带反激电源设计概论

8.碳化硅在反激拓扑中的应用

9.电磁兼容概述