随着全球脱碳投入的不断加大，预计到 2030 年，每年的投资额将达到 5万亿美元[资料来源：国际电工委员会(IEC)]，功率半导体及相关系统在发电、输电和用电方面的作用日益重要，其应用领域包括风能和太阳能、各种电动交通工具、数据中心、照明和消费产品。在过去的 50年中，高压、大电流电功率开关技术从晶闸管发展到 IGBT，现在又过渡到所谓的“宽禁带”材料，其中最具商业影响的是碳化硅。但除了重要性之外，碳化硅还相对容易制造，并且是大型半导体公司的一个相当明显的发展策略。因此，过去 5年来，大量的产能上线，导致全球材料供应过剩。

       碳化硅的全球投资回报率可能不会提高，因为新技术正在紧随其后——氮化镓就是这样一种颠覆性技术。氮化镓不仅在性能上优于碳化硅，其制造成本也更低，因为它不需要高温处理，因此所需的设备更便宜，代工厂的电费也更低。氮化镓的一个弱点是其耐压性能较低，这使得该技术仅限于消费类产品和市电应用场合，如手机充电器、电视机和家电偏置电源。这个问题直到今天仍未解决。Power Integrations 正在加速研发，以高压氮化镓取代碳化硅，近年来已发布了基于 750V、900V 和 1250V 氮化镓的产品，同时持续致力于更高电压产品的研发。本次直播从更高的视角阐明了氮化镓与碳化硅和 IGBT 的性能对比，并提出了该技术未来的商业路线图。