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基于氮化镓(GaN)宽禁带半导体的高功率密度电源设计
讲师:梁晓军
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1- 宽禁带功率器件的原理与特性
时长: 36:10
2- 高功率密度 USB PD 电源设计
时长: 40:22
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基于氮化镓(GaN)宽禁带半导体的高功率密度电源设计
讲师:梁晓军
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直播大纲
1、宽禁带功率器件的原理与特性
2、高功率密度 USB PD 电源设计
梁晓军 英飞凌高级主任工程师
世纪电源网资深版主 主要研究方向:高频半导体功率变化技术,直流供电系统集成的理论与若干关键技术研究.多磁路集成仿真与研究。
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