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SiC 二极管与整流优化
文天祥 (Eric Wen)
01:12:15 / 共4课时
目录
介绍
SiC 二极管与整流优化1
09:17
SiC 二极管与整流优化2
28:55
SiC 二极管与整流优化3
20:37
SiC 二极管与整流优化4
13:26
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课程简介
1. 行业背景简介
2. SiC 器件物理与关键参数
3. Si 与 SiC 简单对比
4. Qrr 与开关损耗分析-不同拓扑的分析区
5. Qrr 与 EMI 优化
6. ROHM 及 onsemi SiC SBD 器件特性
7. 从 Si 切换到 SiC 注意事项
演讲老师
文天祥 (Eric Wen)
IEEE Senior Member
高级工程师职称,一直专注于电力电子的研究和创新,对电力电子器件应用、电源拓扑及控制有深入的研究和独特的见解,擅长照明电子系统,新能源电力电子,智能电子硬件的平台设计和开发。同时对于电力电子产品的可靠性设计、品质管控,产品验证以及规模化生产有丰富的实践经验。在长期从业历程中,注意技术创新,在电源设计及应用领域积累并取得了多项国际专利,出版电力电子、电源设计及应用相关书籍多部。
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