任敏 教授
电子科技大学副教授，清华大学博士，美国伊利诺伊理工大学访问学者
功率器件发展趋势和前沿技术
课程介绍了硅基功率半导体器件技术进展、宽禁带功率半导体器件技术
目录
介绍
1.1 引言
19:23
2.1 硅基功率半导体器件技术发展
35:02
2.2 功率二极管
36:22
2.3 IGBT
48:44
3.1宽禁带功率半导体器件技术
22:55
课程简介
【课程大纲】
1. 引言
2. 硅基功率半导体器件技术进展
2.1 功率MOSFET
2.2 功率二极管
2.3 IGBT
3. 宽禁带功率半导体器件技术
3.1 SiC
3.2 GaN
1. 引言
2. 硅基功率半导体器件技术进展
2.1 功率MOSFET
2.2 功率二极管
2.3 IGBT
3. 宽禁带功率半导体器件技术
3.1 SiC
3.2 GaN
演讲老师
任敏 教授
电子科技大学副教授，清华大学博士，美国伊利诺伊理工大学访问学者。作为项目负责人承担了国家自然科学基金、国家科技重大专项（02专项）、总装预研基金等多项国家级课题。发表SCI、EI收录论文30余篇，授权美国发明专利1项，授权中国发明专利近30项，获2016年四川省科技进步一等奖。