刘宇思博士
Principal Applications Engineer
采用SiC混合模块和全SiC MOSFET模块提高太阳能逆变器的能效和功率密度
该视频介绍如何使用全 SiC 升压模块增加 1100 V 逆变器的功率密度，采用对称升压或飞跨电容器升压拓扑结构配置的 SiC 混合模块增加 1500 V 逆变器的功率密度，及在 1100 V 和 1500 V 太阳能逆变器的输出级中使用 SiC 二极管的好处。
目录
介绍
1- 全SiC MOSFET模块
14:47
课程简介
随着可再生能源的增长以及太阳能发电站的电力成本下降，全球对太阳能逆变器的需求持续激增。这些太阳能发电站使用额定电压为 1100 V 或 1500 V 的太阳能电池板串。与 1100 V 系统相比，使用 1500 V 可降低每千瓦的总体安装成本，但需要提高太阳能逆变器的升压和逆变器电路的电压。为了降低维护成本，太阳能发电站通常使用几个较小的可更换的逆变器，而不是一个大型中央逆变器。
【内容介绍】
我们将介绍如何使用全 SiC 升压模块增加 1100 V 逆变器的功率密度。采用对称升压或飞跨电容器升压拓扑结构配置的 SiC 混合模块增加 1500 V 逆变器的功率密度。最后，我们将介绍在 1100 V 和 1500 V 太阳能逆变器的输出级中使用 SiC 二极管的好处。
关键要点：
1.了解安森美半导体的SiC混合模块和全SiC模块，以及用于升压和输出级的推荐拓扑
2.了解安森美半导体的SiC混合模块和全SiC模块用于太阳能逆变器应用的优势
【内容介绍】
我们将介绍如何使用全 SiC 升压模块增加 1100 V 逆变器的功率密度。采用对称升压或飞跨电容器升压拓扑结构配置的 SiC 混合模块增加 1500 V 逆变器的功率密度。最后，我们将介绍在 1100 V 和 1500 V 太阳能逆变器的输出级中使用 SiC 二极管的好处。
关键要点：
1.了解安森美半导体的SiC混合模块和全SiC模块，以及用于升压和输出级的推荐拓扑
2.了解安森美半导体的SiC混合模块和全SiC模块用于太阳能逆变器应用的优势
演讲老师
刘宇思博士是安森美 PIM 功率模块的高级应用工程师，在电力电子行业拥有 12 年丰富经验，当中 6 年专注于光伏逆变器的开发及研究。他曾任职于中国南方电网和安川电机美国光伏逆变器事业部。本科毕业于中国湖南大学，在美国阿肯色大学获得博士学位。