APP观看
请打开 电子研习社APP 观看完整章节
您的浏览器不支持播放,请打开 APP 观看
采用SiC混合模块和全SiC MOSFET模块提高太阳能逆变器的能效和功率密度
刘宇思博士
14:47 / 共1课时
该视频介绍如何使用全 SiC 升压模块增加 1100 V 逆变器的功率密度,采用对称升压或飞跨电容器升压拓扑结构配置的 SiC 混合模块增加 1500 V 逆变器的功率密度,及在 1100 V 和 1500 V 太阳能逆变器的输出级中使用 SiC 二极管的好处。
目录
介绍
课程简介
随着可再生能源的增长以及太阳能发电站的电力成本下降,全球对太阳能逆变器的需求持续激增。这些太阳能发电站使用额定电压为 1100 V 或 1500 V 的太阳能电池板串。与 1100 V 系统相比,使用 1500 V 可降低每千瓦的总体安装成本,但需要提高太阳能逆变器的升压和逆变器电路的电压。为了降低维护成本,太阳能发电站通常使用几个较小的可更换的逆变器,而不是一个大型中央逆变器。

【内容介绍】
我们将介绍如何使用全 SiC 升压模块增加 1100 V 逆变器的功率密度。采用对称升压或飞跨电容器升压拓扑结构配置的 SiC 混合模块增加 1500 V 逆变器的功率密度。最后,我们将介绍在 1100 V 和 1500 V 太阳能逆变器的输出级中使用 SiC 二极管的好处。
关键要点:
1.了解安森美半导体的SiC混合模块和全SiC模块,以及用于升压和输出级的推荐拓扑
2.了解安森美半导体的SiC混合模块和全SiC模块用于太阳能逆变器应用的优势
演讲老师
刘宇思博士
高级应用工程师
刘宇思博士(Dr. Yusi Liu)是安森美半导体 PIM 功率模块的高级应用工程师,在电力电子行业拥有 12 年丰富经验,当中 6 年专注于光伏逆变器的开发及研究。他曾任职于中国南方电网和安川电机美国光伏逆变器事业部。刘宇思博士本科毕业于中国湖南大学,在美国阿肯色大学获得博士学位。
请打开 APP 观看完整课程