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新型功率器件在高功率密度 PD 快充中的应用(上)
朱飞
01:18:55 / 共3课时
超级结 MOSFET 在高功率密度电源中的波形振荡如何整改?辐射曲线中的“高点”如何压制,与 MOSFET 哪个参数相关?PD快充在输出电压改变时,会经历短时的“直通”,MOSFET 如何才能“渡劫”?同步整流MOSFET 的哪些参数会影响产品设计与测试?
目录
介绍

1- PD快充背景介绍

30:38

2- 超级结MOSFET特性介绍

25:20

3- 超级结 MOSFET 在 PD 快充中的应用

22:57
课程简介
介绍 PD 快充的背景、常用的拓扑结构。Super-Junction MOSFET、SGT MOSFET 的特性分析及用在 PD 快充当中的优势与劣势。通过实际Demo的测试,展示实战效果(包含效率、温升、波形、EMI等实测数据),从实测波形展示到器件性能的对应分析。对电源工程师的产品设计具有实操性的参考意义,特别是对高功率密度电源设计中MOSFET 的选型、外围驱动、及 EMI 设计具有现实指导意义。
●课程大纲
1.PD 快充背景介绍
2.PD 快充常用拓扑原理的介绍
3.超级结 MOSFET 特性介绍
4.超级结 MOSFET 在 PD 快充中的应用
演讲老师
朱飞
龙腾半导体 FAE经理
毕业于燕山大学电气工程学院,电力电子与电力传动专业硕士。长期从事逆变电源设计开发,高功率密度特种电源设计开发,超级结 MOSFET 的应用及失效分析,低压 SGT MOSFET 的应用及失效分析。
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