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宽禁带半导体功率器件的工程应用问题
王议锋 教授
01:10:42 / 共1课时
目录
介绍
宽禁带半导体功率器件的工程应用问题-王议锋
1:10:42
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课程简介
【课程大纲】
1. SiC器件特性分析
2. GaN器件特性分析
3. 基于SiC的氢能DC/DC应用
4. 基于GaN的无人机电源应用
【课程收获】
宽禁带半导体切合了电力电子、光电子和微波射频等领域的节能需求。在电力电子领域,碳化硅功率器件相比硅器件可降低50%以上的能源损耗,有效提升能源转换率。抓住第三代宽禁带功率半导体的战略机遇期,实现半导体材料、器件、封装模块、装备和系统开发的自主可控,对保障我国工业创新体系的可持续发展至关重要。
演讲老师
王议锋 教授
教授、博士生导师
天津大学副教授、博导 2011年毕业于哈尔滨工业大学,2015-2016弗吉利亚理工大学CPES访问学者。 研究方向包括:高频高效电能变换技术,高效软开关技术,磁集成技术,高频数字控制技术,数字镇流器及LED驱动电源技术,直流配用电技术与系统
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