随着节能减排、新能源发电、智能电网和无线通信等领域的快速发展，电源和控制器行业对功率半导体器件的性能指标和可靠性的要求日益提高，要求器件有更高的工作电压、更大的电流承载能力、更高的工作频率、更高的效率、更高的工作温度、更强的散热能力和更高的可靠性。经过半个多世纪的发展，基于硅材料的功率半导体器件的性能已经接近其物理极限。因此，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的第三代宽禁带功率半导体材料的发展开始受到重视。技术领先国家和国际大型企业纷纷投入到 SiC 和 GaN 的研发和产业化中， 产业链覆盖材料、器件、模块和应用等各个环节。第三代宽禁带功率半导体对电动化交通、工业伺服和电力行业的装备和产品升级换代产生了重大且深远的影响。

本次课程将结合安森美碳化硅产品在工业、汽车应用领域的领导地位以及“端到端”垂直整合的产能优势，为产业和研发提供完整可靠的方案选择。

技术亮点：
1、宽禁带半导体较传统硅基器件的优势；
2、碳化硅 MOSFET 在大功率应用中的效率和成本优势；
3、碳化硅 MOSFET 关键参数和设计思路；
4、onsemi SiC SPICE 精确模型和在线仿真工具；

学习收获：
1、了解 onsemi SiC 产品垂直整合的产能优势；
2、了解 onsemi SiC 精确 SPICE 模型及仿真工具。