于 2007 年加入 Transphorm 公司，是公司初创团队成员之一，现为高级研究员并担任产品工程高级总监，负责氮化镓大功率器件的产品开发。申博士于 2004 年获得加州大学圣巴巴拉分校博士学位，在基于 GaN 的微波和功率器件领域工作超过 20 年，对 GaN HEMT 器件的发展做出了诸多贡献，其中包括新的钝化方法、新的外延结构和工艺技术。他在技术期刊和国际会议上创作及合著了70多篇论文，并拥有7项已授予或正在申请的专利。

于 2013 年加入 Transphorm，现为 Transphorm 公司高级研究员，并担任应用工程部高级经理，领导电力电子电路支持团队，负责氮化镓器件测试和评估，以及为客户设计电路开发解决方案。王博士在 IEEE 会议及期刊上发表过 20 多篇技术论文，拥有五项美国专利，其中两项专利重点关注氮化镓功率器件的驱动和并联方法。王博士于 2012 年获得佛罗里达州立大学电气与电子工程博士学位。