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谐振变换器的性能分析与 GaN 器件应用 (下)
高圣伟
01:49:15 / 共3课时
课程重点介绍通过分析 MOSFET 的工作原理和损耗特性,明确减少开关损耗和通态损耗的设计目标。然后以半桥变换器拓扑为基础,基于二元谐振变换电路原理分析和对 LLC 和 LCC 谐振变换器系统进行电路化简和工作原理分析,总结两种谐振变换器的特点和适用范围及在减少损耗提升工作性能方面的优势,然后总结 LLC 谐振变换的工作特性曲线设计的设计方法。最后进行不同类型 GaN 器件工作特性进行比较,提出 GaN 器件的驱动设计方法及 GaN 器件在减少通态损耗和提升变换器性能中的作用。
目录
介绍
1- LLC 谐振变换的工作特性曲线设计
30:33
2- GaN 晶体管驱动设计
43:54
3- GaN 器件特性分析及应用
34:48
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课程简介
本次报告主要包括5个小节,以谐振变换器的特性分析与性能提升为核心,主要围绕减少电能变换器中功率器件的损耗为主线。
演讲老师
高圣伟
副教授
天津工业大学,电气工程与自动化学院,副教授 主要研究方向:电力电子技术,嵌入式系统设计
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