梁晓军
英飞凌高级主任工程师
新功率器件的原理及在软开关拓扑的应用
随着功率密度要求越来越高，为了消除开通损耗越来越多的电源使用软开关拓扑，工程师通常认为软开关拓扑只有关断损耗及导通损耗，本课程将会引入新的损耗概念-Coss 的回滞损耗
目录
介绍
1- 半导体材料简介
28:59
2- 受热发生自由电子与空穴
29:05
3- 导通电阻的构成
29:01
4- 结电容
34:15
课程简介
【课程大纲】
1. 半导体材料简介
2. MOSFET&GaN 原理介绍
3. 功率MOSFET的参数理解
4. Coss 的回滞损耗的原理及测量方法
5. Coss 的回滞损耗在软开关拓扑PD充电器中的影响
1. 半导体材料简介
2. MOSFET&GaN 原理介绍
3. 功率MOSFET的参数理解
4. Coss 的回滞损耗的原理及测量方法
5. Coss 的回滞损耗在软开关拓扑PD充电器中的影响
演讲老师
世纪电源网资深版主
主要研究方向：高频半导体功率变化技术，直流供电系统集成的理论与若干关键技术研究.多磁路集成仿真与研究。