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领先的数字 ZVS 反激平台,助力实现下一代高功率密度 AC/DC 快充
姚云鹏
01:10:48 / 共3课时
将为大家介绍:领先的数字反激式 ZVS 解决方案—能够轻松实现低成本、低功耗、高效率、高功率密度的开关电源设计,满足客户更轻、更小外形尺寸的充电器/适配器要求。
目录
介绍

1- ZVS 反激变换器的基本工作原理

18:15

2- Dialog 的数字 ZVS 反激解决方案介绍及其特点

13:19

3- ZVS 应用和评估结果

39:14
精选问答
zvs绕组的PFC电感匝数如何设计,,此pfc变压器该如何选取,有没有经验值
根据实际功率计算
变压器漏感对ZVS有什么影响
ZVS开通时间变长,可以通过config电阻调整开通时间
如何获取完整的设计资料?
请联系代理商或者业务
ZVS反激电路,电阻电容的选择如何选择?
根据实际ZVS圈数和MOS耐压选择正确耐压的电阻电容
硬关电压尖峰如何抑制
降低漏感,RCD钳位
ZVS 繞組如何設計? 相關周邊元件參數如何設置? (Ex: ZVS-MOS Vds? ZVS-cap?)
根据ZVS实际绕组圈数计算电压,Vds=Vo/Ns*Nz+Vbulk/Np*Nz, Vcap=Vo/Ns*Nz
ZVS 的PFC电路如何选择搭配,以及设计?
建议搭配使用iW2206
对于适配器输入端未接地,但是终端产品需要接地EMI超标该如何解决?
根据实际EMI超标频率段结果调试
同步整流中会有反激现象吗,可以通过什么方式避免
是共通么?如果是,我们的SR有预关断以及斜率检测
9802效率上做的真不错,如果搭配GaN MOS ,效率能不能上升0.5%。
可以
怎么优化数字zvs反激的辐射和传导EMC/EMI的性能指标?
ZVS的EMI比传统QR要好一点
如何提高功率密度来降低EMI?
提高功率密度主要看结构设计和热设计
数字zvs反激,工作的频率范围是多少?它的辐射和传导EMC/EMI的性能如何?
70K-200K,ZVS的EMI比传统QR要好一点
有没有DC高压输入的反激方案,输入500V到800V
没有
ZVS反激效率最高可以做到多少?
0.94
zvs是可以全输入电压范围和全负载范围实现吗?次级工作在什么状态?
可以全电压ZVS,次级工作在DCM模式
设计快充的时候,如何优化协议代码,以及设计保护电路,避免曾经出现过的,高压或过电流损坏手机的情况?
协议部分已经固化,不需要工程师写程序
ZVS反激平台能够支持PWM脉冲调制信号控制吗?
ZVS本来就是PWM脉冲调制信号控制
氮化镓也能实现软开吗?
可以
ZVS反激平台,开关管的导通时间,可以在哪一个范围内?
最大2uS
ZVS在CCM和DCM模式下都能实现吗?
ZVS在DCM模式下实现
是否可以和纳微的GaN 搭配 效率如何 有demo资料
可以搭配,Demo在调试中
如果同步整流,可以提高多少效率?
3%左右
RC subber电路串联的续流二极管采用什么类型的?
快恢复二极管
本次提及的设计方案可以使用宽禁带器件么?
可以
开关频率可以通过材料的选择,提高吧
IC最高可以支持200KHz
副边二极管反向恢复时间有什么影响?
如果是肖特基,会影响效率,没有同步整流高
小功率的ZVS平台的空载损耗多大?
PD应用可以小于20mW
如果采用GaN,对于ZVS的设计有什么要求?
没有特殊要求
为什么在D~G加了个电容
米勒电容,优化EMI
两个桥堆整流的方案,有什么好处?有没有风险?
均摊电流,降低温度
请问采用ZVS后,对于辐射和传导的性能有什么影响?
变好
高功率密度 AC/DC 快充在轻载和满载的时候分别能达到多少效率?
65W,20V3.25A最高效率94%
为什么ZVS绕组的圈数大于Vcc绕组圈断航,有没算法公式
防止ZVS绕组电流倒灌到VCC绕组和次级
变压器对ZVS的寄生电容有无影响,影响多大?
寄生电容影响不大
目前方案的 功率mos的,该做如何选择?是否有推荐的?
根据实际功率和应用选择,对MOS没有特殊要求
请问采用LSspice仿真,得到的结果和测试结果差异大吗?
不大
本次的高功率密度 AC/DC 快充最大电流能提供多大?
5A
在不考虑成本和封装的情况下,Dialog的次级驱动IC对于MOS来讲,是否是导通越小越好?
MOS的导通电阻?太小会影响同步整流的预关断的侦测点
对于目前次级mos的选择上,用于同步整流中,有什么好的建议吗?
建议使用SGT工艺的MOS
如果要提高效率,增加开关频率,对ZVS电路有影响或要求吗?
没有
对于次级mos短路是的VDS电压尖峰是否有优化方案?
共通有保护
ZVS电路对于PFC电路的设计有什么影响?
没有影响
请问如果采取ZVS设计,对于电源输入端的滤波器设计有什么要求吗?
没有特殊要求
如果要达到高效率,可以动态调节开关频率吗?
我们的芯片的开关频率会随着负载变化在改变
什么前提下,效率可以达到94.1%?
参考demo板的设计
ZVS放在最外面是什么原因
圈数较少,简化变压器设计
针对zvs反激设计,有哪些推荐的仿真软件
可以用Saber仿真,由于有非线性的MOS结电容存在,且控制较为复杂,仿真时间非常长。
输出端具有短路保护功能吗
咱们的这种模块可以适应工业级-40的温度范围吗
我们的产品主要是消费类电子
有PFC电路的性能提升多少,成本会变动多大
输入功率大于75W,必须增加PFC电路
三款demo的原理图能提供吗
可以,请联系代理商或者业务
Mos管应力超标如何解决?
加吸收
和普通反激相比,效率提升多少?成本增加多少?
效率提升1%,成本增加0.5RMB左右
如何降低开关管的损耗呢
使用ZVS电路,降低MOS的开通电压,减少开关损耗
次级MOS管来讲,影响VDS尖峰主要的因素是什么?
初级MOS开通时间和变压器漏感..…
iW9802是哪家公司的控制器器件?
iW9802是Dialog ZVS控制方案
请问次级MOS的VDS尖峰过高,对于电源设计上要注意哪些问题?
初级MOS增加miller cap或者增大驱动电阻
最大导通时间能不能超过总的工作周期的50%
可以
对于次级MOS的VDS尖峰和VGS尖峰这一块是否有做特殊处理?如何优化的?
初级MOS增加miller cap或者增大驱动电阻
dialog AC/DC 500W左右的方案有没有?
暂时没有
ZVS反激式方案,工作频率越高,是否对EMI越不利?
开关频率低于150kHz,对传导测试有利。高于150kHz会变差
同步整流可以用于小功率反激开关电源吗?
可以啊
dialog的ZVS反激平台目前主要应用多大功率的
200W以内
自适应zvs是指x电容的充放电自适应吗
不是,是指ZVS的开通时间
反激VCC电容如何设计,这块特别容易出问题
使用两级供电或者线性稳压电路
如果反激输出,用桥式整流,会怎么样?
不能使用
请问ZVS开关技术对MOS管的动态电容有和要求?
无要求,适用于任何MOS
软开关和硬开关对电源EMI分别有什么影响?
软开关EMI比较好
请问软开关技术对MOS管的体二极管的恢复特性是有何要求?
小一点会好一点
多模式控制是可以调整的吗
可以选择最高频率
请问降低反激输出电压纹波有哪些有效的方式
加大电容,减小ESR
请问Dialog,目前的SRMOS驱动IC,对MOS的VTH要求如何?以及驱动IC对于不同VTH的适应能力如何?
没有要求
绕组能吸收能量,需要RCD吸收电路吗
需要,因为耦合系数永远小于1
ZVS绕组,相比三明治绕法,漏感会增大,损耗不会增大吗
漏感不会增大
ZVS的绕组可当作屏蔽层吗?
可以
ZVS可以省去一个MOSFET,但是对于变压器有什么额外要求?
ZVS绕组和原边耦合要好,可以吸收原副边绕组漏感之间的能量
ZVS绕组必须紧挨着主绕组绕制吗
建议靠近主绕组
为什么CCM方式下不能用ZVS?
效率提升不明显
ZVS的自适应时间计算,有应用的要求吗,比方说输入电压的范围等?
没有,90V-264V
目前反激开关电源开关频率最高能做到多少?
我们最高频率200KHz
该ZVS反激电源的保护功能设计如何?
OCP,OTP,OVP,OSP, brown in,brown out
绕组并联电路会对信号产生干扰吗?
不会
QR是如何准确在那个位置实现的?
波谷检测
该ZVS反激电源的抗负载扰动能力怎么样?
5%以内
在MOSFET的D-S间增加电容和二极管是什么作用?
DS电容是为了EMI
请问这种开关技术,电源效率能提升多少?
0.01
Qs与Qz不是同步工作的吗?
您好,不同步,Qz只开通很小一段时间
多路输出的检查调整率怎么控制
输出采用叠加反馈
储能电感的参数选择计算是怎么设计的?
建议联系FAE获取计算表格
不同功率的选取要不同的芯片还是全部兼容
针对不同的功率段有不同的芯片版本号
变压器的磁性材料用什么?谢谢
铁氧体, PC40/PC44
反激电路中静电是如何走势?
建议放电回路避开芯片,单独回到大电容或者LN
哪种变压器绕法漏感最低
三明治绕法
该ZVS反激电源的功率因数一般是多少?
无PFC一般0.5左右,有PFC可以达到0.94以上
高功率密度反激产品是否用了宽禁带产品呢?最高的频率在实际设计中应用到多少呢?请教最大可以达到MHz吗?最大的功率能做到多少呢?
可以搭配使用,最高可以工作在200kHz
怎样理解正激电路和反激电路中的正反两个字?
次级变压器同名端一正一反
ZVS反激做哪个功率段的电源有优势
45W-200W
课程简介
直播大纲:
1. ZVS 反激变换器的基本工作原理
2. Dialog 的数字 ZVS 反激解决方案介绍及其特点
3. ZVS 应用和评估结果
演讲老师
姚云鹏
首席应用工程师
于 2020 年加入 Dialog 半导体,目前在担任资深应用工程师职位,主要从事快充方案的应用设计与下一代技术方案预研。在博士期间,他主要研究 LLC、双有源拓扑的控制及设计,从而进一步提高变换器的功率密度。
郭华明
高级经理
毕业于南昌大学,2003 从事电源行业至今,现任职于 Dialog AE 部门高级经理,具有丰富的电源设计经验。
钱皓
资深应用工程师
Dialog半导体 AC-DC 资深应用工程师,负责快充新产品的解决方案和产线自动化测试技术支持。拥有 5 年充电器、适配器系统设计和反激电源控制芯片的经验。
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