姚云鹏
首席应用工程师
领先的数字 ZVS 反激平台，助力实现下一代高功率密度 AC/DC 快充
将为大家介绍：领先的数字反激式 ZVS 解决方案—能够轻松实现低成本、低功耗、高效率、高功率密度的开关电源设计，满足客户更轻、更小外形尺寸的充电器/适配器要求。
目录
介绍
1- ZVS 反激变换器的基本工作原理
18:15
2- Dialog 的数字 ZVS 反激解决方案介绍及其特点
13:19
3- ZVS 应用和评估结果
39:14
精选问答
zvs绕组的PFC电感匝数如何设计，，此pfc变压器该如何选取，有没有经验值
根据实际功率计算
变压器漏感对ZVS有什么影响
ZVS开通时间变长，可以通过config电阻调整开通时间
如何获取完整的设计资料？
请联系代理商或者业务
ZVS反激电路，电阻电容的选择如何选择？
根据实际ZVS圈数和MOS耐压选择正确耐压的电阻电容
硬关电压尖峰如何抑制
降低漏感，RCD钳位
ZVS 繞組如何設計? 相關周邊元件參數如何設置? (Ex: ZVS-MOS Vds? ZVS-cap?)
根据ZVS实际绕组圈数计算电压，Vds=Vo/Ns*Nz+Vbulk/Np*Nz, Vcap=Vo/Ns*Nz
ZVS 的PFC电路如何选择搭配，以及设计？
建议搭配使用iW2206
对于适配器输入端未接地，但是终端产品需要接地EMI超标该如何解决？
根据实际EMI超标频率段结果调试
同步整流中会有反激现象吗，可以通过什么方式避免
是共通么？如果是，我们的SR有预关断以及斜率检测
9802效率上做的真不错，如果搭配GaN MOS ，效率能不能上升0.5%。
可以
怎么优化数字zvs反激的辐射和传导EMC/EMI的性能指标？
ZVS的EMI比传统QR要好一点
如何提高功率密度来降低EMI？
提高功率密度主要看结构设计和热设计
数字zvs反激，工作的频率范围是多少？它的辐射和传导EMC/EMI的性能如何？
70K-200K，ZVS的EMI比传统QR要好一点
有没有DC高压输入的反激方案，输入500V到800V
没有
ZVS反激效率最高可以做到多少？
0.94
zvs是可以全输入电压范围和全负载范围实现吗？次级工作在什么状态？
可以全电压ZVS，次级工作在DCM模式
设计快充的时候，如何优化协议代码，以及设计保护电路，避免曾经出现过的，高压或过电流损坏手机的情况？
协议部分已经固化，不需要工程师写程序
ZVS反激平台能够支持PWM脉冲调制信号控制吗？
ZVS本来就是PWM脉冲调制信号控制
氮化镓也能实现软开吗？
可以
ZVS反激平台，开关管的导通时间，可以在哪一个范围内？
最大2uS
ZVS在CCM和DCM模式下都能实现吗？
ZVS在DCM模式下实现
是否可以和纳微的GaN 搭配 效率如何 有demo资料
可以搭配，Demo在调试中
如果同步整流，可以提高多少效率？
3%左右
RC subber电路串联的续流二极管采用什么类型的？
快恢复二极管
本次提及的设计方案可以使用宽禁带器件么？
可以
开关频率可以通过材料的选择，提高吧
IC最高可以支持200KHz
副边二极管反向恢复时间有什么影响？
如果是肖特基，会影响效率，没有同步整流高
小功率的ZVS平台的空载损耗多大？
PD应用可以小于20mW
如果采用GaN，对于ZVS的设计有什么要求？
没有特殊要求
为什么在D～G加了个电容
米勒电容，优化EMI
两个桥堆整流的方案，有什么好处？有没有风险？
均摊电流，降低温度
请问采用ZVS后，对于辐射和传导的性能有什么影响？
变好
高功率密度 AC/DC 快充在轻载和满载的时候分别能达到多少效率？
65W，20V3.25A最高效率94%
为什么ZVS绕组的圈数大于Vcc绕组圈断航，有没算法公式
防止ZVS绕组电流倒灌到VCC绕组和次级
变压器对ZVS的寄生电容有无影响，影响多大？
寄生电容影响不大
目前方案的 功率mos的，该做如何选择？是否有推荐的？
根据实际功率和应用选择，对MOS没有特殊要求
请问采用LSspice仿真，得到的结果和测试结果差异大吗？
不大
本次的高功率密度 AC/DC 快充最大电流能提供多大？
5A
在不考虑成本和封装的情况下，Dialog的次级驱动IC对于MOS来讲，是否是导通越小越好？
MOS的导通电阻？太小会影响同步整流的预关断的侦测点
对于目前次级mos的选择上，用于同步整流中，有什么好的建议吗？
建议使用SGT工艺的MOS
如果要提高效率，增加开关频率，对ZVS电路有影响或要求吗？
没有
对于次级mos短路是的VDS电压尖峰是否有优化方案？
共通有保护
ZVS电路对于PFC电路的设计有什么影响？
没有影响
请问如果采取ZVS设计，对于电源输入端的滤波器设计有什么要求吗？
没有特殊要求
如果要达到高效率，可以动态调节开关频率吗？
我们的芯片的开关频率会随着负载变化在改变
什么前提下，效率可以达到94.1%？
参考demo板的设计
ZVS放在最外面是什么原因
圈数较少，简化变压器设计
针对zvs反激设计，有哪些推荐的仿真软件
可以用Saber仿真，由于有非线性的MOS结电容存在，且控制较为复杂，仿真时间非常长。
输出端具有短路保护功能吗
有
咱们的这种模块可以适应工业级-40的温度范围吗
我们的产品主要是消费类电子
有PFC电路的性能提升多少，成本会变动多大
输入功率大于75W，必须增加PFC电路
三款demo的原理图能提供吗
可以，请联系代理商或者业务
Mos管应力超标如何解决？
加吸收
和普通反激相比，效率提升多少？成本增加多少？
效率提升1%，成本增加0.5RMB左右
如何降低开关管的损耗呢
使用ZVS电路，降低MOS的开通电压，减少开关损耗
次级MOS管来讲，影响VDS尖峰主要的因素是什么？
初级MOS开通时间和变压器漏感..…
iW9802是哪家公司的控制器器件？
iW9802是Dialog ZVS控制方案
请问次级MOS的VDS尖峰过高，对于电源设计上要注意哪些问题？
初级MOS增加miller cap或者增大驱动电阻
最大导通时间能不能超过总的工作周期的50%
可以
对于次级MOS的VDS尖峰和VGS尖峰这一块是否有做特殊处理？如何优化的？
初级MOS增加miller cap或者增大驱动电阻
dialog AC/DC 500W左右的方案有没有？
暂时没有
ZVS反激式方案，工作频率越高，是否对EMI越不利？
开关频率低于150kHz，对传导测试有利。高于150kHz会变差
同步整流可以用于小功率反激开关电源吗？
可以啊
dialog的ZVS反激平台目前主要应用多大功率的
200W以内
自适应zvs是指x电容的充放电自适应吗
不是，是指ZVS的开通时间
反激VCC电容如何设计，这块特别容易出问题
使用两级供电或者线性稳压电路
如果反激输出，用桥式整流，会怎么样？
不能使用
请问ZVS开关技术对MOS管的动态电容有和要求？
无要求，适用于任何MOS
软开关和硬开关对电源EMI分别有什么影响？
软开关EMI比较好
请问软开关技术对MOS管的体二极管的恢复特性是有何要求？
小一点会好一点
多模式控制是可以调整的吗
可以选择最高频率
请问降低反激输出电压纹波有哪些有效的方式
加大电容，减小ESR
请问Dialog，目前的SRMOS驱动IC，对MOS的VTH要求如何？以及驱动IC对于不同VTH的适应能力如何？
没有要求
绕组能吸收能量，需要RCD吸收电路吗
需要，因为耦合系数永远小于1
ZVS绕组，相比三明治绕法，漏感会增大，损耗不会增大吗
漏感不会增大
ZVS的绕组可当作屏蔽层吗？
可以
ZVS可以省去一个MOSFET，但是对于变压器有什么额外要求？
ZVS绕组和原边耦合要好，可以吸收原副边绕组漏感之间的能量
ZVS绕组必须紧挨着主绕组绕制吗
建议靠近主绕组
为什么CCM方式下不能用ZVS?
效率提升不明显
ZVS的自适应时间计算，有应用的要求吗，比方说输入电压的范围等？
没有，90V-264V
目前反激开关电源开关频率最高能做到多少？
我们最高频率200KHz
该ZVS反激电源的保护功能设计如何？
OCP,OTP,OVP,OSP, brown in,brown out
绕组并联电路会对信号产生干扰吗？
不会
QR是如何准确在那个位置实现的？
波谷检测
该ZVS反激电源的抗负载扰动能力怎么样？
5%以内
在MOSFET的D-S间增加电容和二极管是什么作用？
DS电容是为了EMI
请问这种开关技术，电源效率能提升多少？
0.01
Qs与Qz不是同步工作的吗？
您好，不同步，Qz只开通很小一段时间
多路输出的检查调整率怎么控制
输出采用叠加反馈
储能电感的参数选择计算是怎么设计的？
建议联系FAE获取计算表格
不同功率的选取要不同的芯片还是全部兼容
针对不同的功率段有不同的芯片版本号
变压器的磁性材料用什么？谢谢
铁氧体， PC40/PC44
反激电路中静电是如何走势？
建议放电回路避开芯片，单独回到大电容或者LN
哪种变压器绕法漏感最低
三明治绕法
该ZVS反激电源的功率因数一般是多少？
无PFC一般0.5左右，有PFC可以达到0.94以上
高功率密度反激产品是否用了宽禁带产品呢？最高的频率在实际设计中应用到多少呢？请教最大可以达到MHz吗？最大的功率能做到多少呢？
可以搭配使用，最高可以工作在200kHz
怎样理解正激电路和反激电路中的正反两个字？
次级变压器同名端一正一反
ZVS反激做哪个功率段的电源有优势
45W-200W
课程简介
直播大纲：
1. ZVS 反激变换器的基本工作原理
2. Dialog 的数字 ZVS 反激解决方案介绍及其特点
3. ZVS 应用和评估结果
1. ZVS 反激变换器的基本工作原理
2. Dialog 的数字 ZVS 反激解决方案介绍及其特点
3. ZVS 应用和评估结果
演讲老师
于 2020 年加入 Dialog 半导体，目前在担任资深应用工程师职位，主要从事快充方案的应用设计与下一代技术方案预研。在博士期间，他主要研究 LLC、双有源拓扑的控制及设计，从而进一步提高变换器的功率密度。
郭华明
高级经理
毕业于南昌大学，2003 从事电源行业至今，现任职于 Dialog AE 部门高级经理，具有丰富的电源设计经验。
钱皓
资深应用工程师
Dialog半导体 AC-DC 资深应用工程师，负责快充新产品的解决方案和产线自动化测试技术支持。拥有 5 年充电器、适配器系统设计和反激电源控制芯片的经验。