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车规级宽禁带功率器件技术分析
崔其祥
42:22 / 共2课时
目录
介绍

1- 车规级宽禁带功率器件技术分析(上)

24:17

2- 车规级宽禁带功率器件技术分析(下)

18:05
课程简介
1、SiC 功率 MOSFET 研究进展
2、固体的能带理论
3、SiC 对比 Si 材料优势
4、节能及系统集成度推动电力电子应用的发展
5、SiC 二极管
6、平面 SiC MOSFET 的基本挑战
7、典型的沟槽结构 SiC MOSFET 类型
8、SiC MOSFET 开关状态
演讲老师
崔其祥
世纪电源网资深版主
上海鹰峰电子科技股份有限公司技术总监,控制理论及控制工程硕士,二十多年来专注于电力电子以及电子元器件的研究,对汽车 OBC, LED 驱动电源拓扑,半导体,感性器件的工艺和应用,有源滤波器,IGBT 驱动器以及TI数字信号处理 DSP F28 系列的应用和系统级设计有深入的研究和独特的见解,擅长各种电源方案拓扑并在 LED 照明电子设计及应用领域积累并取得了多项国际专利。
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