吴志民
中国区应用工程总监
安森美半导体工业方案网络直播研讨会
本次直播将全面介绍安森美半导体领先市场的工业方案
目录
介绍
1- 太阳能方案
39:19
2- 工业驱动和服务器方案
45:25
3- 电动汽车充电桩方案
33:22
4- 辅助电源方案
41:54
精选问答
太阳能的待机功耗最小能做到多少?
一般不太考虑待机功耗
死区时间如何进行设置？
一般MCU会设置2-3us，实际测出来大于1us也可以了
请问逆变器的输入电流对应MOS管的电流，有什么要求？对器件的电流冲击有多大？
大于3kW， 一般使用IGBT
我看到上面讲的TNCP，是否有NCP
有的，INPC
是否应用到了软开关技术？
光伏逆变上一般不会用到软开关技术
100KW的逆变器输出的最高电流在200A左右吗?
到不了，相电流150A，算一下出来了
太阳能逆变器需要先做个升压稳压前级吗？
需要直流升压电路做MPPT， 可以选用安森美半导Q0boost (NXH80B120H2Q0) 升压模块
碳化硅用在太阳能上面有哪些优势？
降低成本，减小体积
三种拓扑结构的管子哪个成本最高？
ANPC
对于太阳能的未来，贵司是有什么样的规划没有？
正在开发功率更大的IGBT模块
有1500Vdc 光伏逆变 的器件嘛、及方案
升压可以选用Q2PACK / 1500V 150A P/N: NXH450B100H4Q2F2PG/SG逆变器 Q2PACK / 1500V系统INPC逆变器， P/N: NXH350N100H4Q2F2P1G/S1G
开关管的频率设置为多少比较合适？
IGBT ~20kHZ
安森美有适合电动汽车上的大功率三桥臂IGBT吗？
有的
使用的是TNPC的拓扑？
TNPC和INPC的拓扑都有
太阳能逆变器最大功率跟踪是模拟控制还是数字控制？
数字控制
请问目前的太阳能逆变或者控制器，频率一般会做到多大？
一般是20KHZ以内
一般板块是串好此还是并联好些
光伏面板串联和并联都有
安森美也有IPM模块吗
有的，很多年了
本次讲解的太阳能逆变器是多大功率等级的
从几KW到200多KW
请问太阳能现在做到最大能达到多少瓦
3.15MW
有对NCP1615+NCP13992拓扑介绍的有资料吗？
有可以聯絡代理商fae 拿到相關資料
ACF可以和coolmos一起使用吗？
是，可以跟coolmos 一起使用
ACF对效率的提升能有多少呢？
跟QR 比，大約提升1-2%
ACF的原理介绍及计算过程，官网也有的吗？
倒如
这个ppt能给我们提供下载吗？
菜单栏 - 资料下载，可获取这个PPT
ON在20W以下，集成度最高的是哪款IC呢，不想要太多的外围器件
FSL538
这个文档可以下载不
菜单栏 - 资料下载，可获取这文档
辅源的待机功耗，最低可以做到多少？
可以做到30mw以下
QR变压器的计算，有资料可以下载吗
有的，ON 的website 可找到QR設計工具
QR空载出现音频噪声如何解决？
本公司QR controller 有Quiet skip 工作模式，有效在輕載時減低噪音
辅助电源有没有UPS电源产品？
有，并且大批量使用。
内置mos耐压有几个等级呢，最高多少V？
最高1200V
采用控制器加外部fet的方案，有哪些优势呢
输出功率调整容易。
ON有跨接在初次级的内置mos，集成ic吗？
很多，例如FSL538，集成800V的Mosfet。
综合考虑，辅源使用QR应该最便利吧？
要具体看看輸出电压和电流規格來決定
QR反激可以做宽范围输入电源吗？
可以的，
我有看到台达一款电源，辅源使用反激，在buck电容到变压器的HV之间串联了一个欧姆级别的电阻，这个电阻的工程意义是什么呢？
用來作开机起動，电阻限制起動电流
可变频率模式，是通过外部调整还是芯片内部调整呢
有外部用电阻调整频率的芯片，也有不同版本的固定频率的芯片直接供客户选择。例如普遍使用的65K频率的芯片。
电源的转换效率最高是多少
准谐振(QR)反激 大约93-94%， ACF大约 94%-95%
请问在反激拓扑中，那种效率会最高
准谐振(QR)反激 93-94%
隔离反激拓扑可以降低物料成本
是的，是开關电源中成本最低
辅源一般采用什么拓扑啊？
辅助电源由于功率小的特点，因此以反激拓补居多。
IGBT的驱动电路及方案介绍，在ON官网可以看到吗
可以在官网上找到很多驱动应用资料
这些辅助电源是在线电源还是离线电源？
离线式开关电源，高频，高效率。
on的SIC驱动需要自己构建负电压吗？
需要负压关断
SiC器件驱动电路与IGBT驱动电路有什么区别？
驱动电压不一样，比如1200V的SiC Mos需要20V开通，-5V关断
SiC的驱动需要负电源，Onsemi的SiC驱动芯片是否集成了负压产生器？
是的
ncp51705的最大驱动能力是多少？
6A
ncp51705适合驱动哪些类型的器件呢？
驱动SiC MOSFET
客户板如何申请？
您也可以跟其它安森美半导体代理联系，https://www.onsemi.cn/support/sales
NCP51705和NCV51705的IC有什么区别呢？
NCP是工业级， NCV是汽车级
目前SICMOS能覆盖哪些电压功率等级？
650/900/1200V
SIC mos需要专用的驱动IC来驱动吗？
最好使用专门的驱动
SIC的市场占有率低，是否意味着技术不成熟，或者可靠性不高呢？
SiC的可靠性已经经过市场的验证，技术已经成熟。任何新材料的产品都有一个市场逐步接收的过程
以GaN，SiC为代表的第三代半导体，在目前市场的占有量大概是多少
低于10%
高压辅助电源如果超过1000VDC推荐哪个IC和拓扑？
还是用反激的拓补结构，可以用NCP12510BSN65T1G+超高压MOS。ONsemiconductor做了一款25瓦左右的三相电表的电源方案，可供参考。
SiC器件的导通电阻在什么量级
650V最低阻抗15毫欧
请问现在的太阳能主要有那些认证
安森美模块是按JDEC标准的
碳化硅 (SiC) 方案应用在电动汽车充电桩对充电桩的功率密度有没有提升？
有
碳化硅目前比较推荐的工作频率是多少？
300KHz左右都行
普通驱动IC 可否用来驱动SIC?
建议用专门的SiC驱动IC
IGBT驱动电路需要特别注意哪些地方呢？
Millar平台电压电流和负压会影响管子的道通和能效
最近氮化镓充电器在市面上出现了较多的质量问题，很大一部分都是功率芯片问题，碳化硅的可靠性是否有充分的市场验证？
太阳能、汽车和服务器电源已经大批量使用过
SiC管子耐压有多高？
我们现在有650V， 1200V，
目前SIC最高可以做多少V的耐压呢？
目前是1700V
目前碳化硅器件的驱动是否还是需要负压关断？
MOSFET需要负压关断
工程应用中，IGBT的建议工作频率是多少呢
要视乎应用，如果应用在高频，管子的功率也自然需要调低
碳化硅 (SiC) 应用在汽车充电桩使用多大范围电压使用？
1200V diode
安森美的功率器件相较于友商效率如何？
损耗小，效率高
EASY Drive是通过减小栅极Qg实现的吗？
优化三脚之间的寄生电容和电阻，减少EMI和电压尖刺
集成模块(TM-PIM)有何优势，如果输出功率不足，是否可以并联处理？要注意什么？
TM-PIM 驱动:3 kW ~ 20 kW ， 再大需要使用PIM
TM-PIM模块和传统PIM最大的区别是什么，带了的优势有哪些？
TM-PIM 驱动:3 kW ~ 20 kW ， 再大需要使用PIM
SIC目前的价格对比IGBT和MOSFET是否有优势？
整体方案成本有优势
250KW级别的超快充电桩，目前在充电桩市场的占有率应该很少吧？
是
充电桩领域，SIC和IGBT，市场分别的占有率？和未来的发展前景
IGBT=95%， SiC=<5% at 2020
功率集成模块(TM-PIM)方案应用于工业驱动电流能达到多大？
目前还在开发更大功率的器件，电流范围目标是200A 到600A
二个以上IGBT模块并联应用时需要注意些什么？
主要还是电流分佈
车用IGBT凝胶覆盖模块坏了其中一组能修吗？
建议换新的
TM-PIM模块的最大输出功率和功率范围是多少？
TM-PIM 驱动:3 kW ~ 20 kW ， 再大需要使用PIM
IGBT在工作频率上有提升吗，现在电源都在小型化，基本都是通过提高工作平率来实现的？IGBT还是没有提高工作频率的设计吗？
开关频率是提升了的，如SQD系列
中小功率的IGBT产品，安森美on提供了哪一些产品和封装?
小功率的封装在Dpak， D2Pak， TO220 和TO220F
安森美半导体这种功率器件有官方的在线设计软件？
您可以点击下列连接，https://www.onsemi.com/products/power-modules
如何解决IGBT并联的均流问题？
从器件本身，驱动设计和布局几个方面考虑
相同电气规格，使用 TM-PIM ，系统成本会增加吗？
会比PIM成本低和可靠性高
TM-PIM模块采用什么工艺？
基本上是跟IPM模块大同小異
太阳能光伏、伺服电机、这几个地方应用那种系列IPM比较好？有相关资料吗？这个视频稍后可以回放吗？
会有回放，本次直播的演示文档也可以下载
Pim的封装类型还有没有更小的
最小PIM: 逆变器80A TNPC， Q0PACK封装， 升压模块 1200 V/40 A IGBT ， Q0 Boost 封装
安森美on的pim通过了哪一些pim测试标准?
Rohs，UL等认证都有
NTC110℃是否有点过高？是否建议加大散热？
主要看此时的结温是多少？如果结温超过了你们的要求那就要加大散热
安森美on提供了自有器件的仿真软件吗？可以用在哪一些范围？
您可以点击下列连接，https://www.onsemi.com/products/power-modules
SIP-K和旧的SIP的封装相比价格一样吗？
SIPK 比旧有的SIP 体积小了， 但晶圆已经采用新一代IGBT， 性价比更高
IGBT壳温和结温一般相差多少度？
和实际散热条件有关，举个例子，风冷开到有3多度左右，水冷的温差会更高，比如60度
请问在IGBT使用时，一般器件表面的温度要控制在多少度比较合适？
100度， 但是最理想， 测量每一个IGBT二极管的具体损耗和结温
IGBT体二极管可以做BOOST升压二极管使用吗
看你是什么拓扑，buck-boost是可以的
封装对模块的散热有影响吗
主要是看igbt 损毁， 热阻及散热的基板。
散热器的材质如何进行选择
看应用，一般便宜的用铝材比较多，贵点的用铜，还有风冷水冷的区分
M公司是哪个公司？
某日系
每个产品对应的IPM模块介绍有具体的资料吗？
我们在每个系列都有对应的产品介绍， 应用手册。都放在我们的网站上。
小功率IGBT可以用于高频设计吗？
SQD系列都可用于高頻开关的
压接IGBT相对于焊接IGBT那种热阻会更小一些？
只是引脚不一样，Rthj-c热阻没区别
IPM可以理解是为集成的电机驱动芯片？？？
可以说成包含了IGBT， FRD， 驱动IC， 外围的自举电路。但是不包主控的芯片
采用DCB基板会不会增加整体的成本？
DBC 是很好的传热导体， 热阻少， 但成本高
DBC散热技术有啥特点
DBC 是很好的传热导体， 热阻少， 但成本高
ON的IPM模块与其它厂家封装兼容吗？
在SPM31 及SPM49 是跟某日系列是P2P
SPM49与SPM34的区别只是将SPM34的30A的电流提高到了35A么？
spm34 是安森美一直的自主封装， 由600v 50/75A， 到1200v 50A. spm49是全新晶圆，跟某日系P2P的， 功率系列跟spm34 一样
ON工厂是在国内吗？
安森美半导体的工厂遍布亚太、欧洲及北美，请点击链接了解概况https://www.onsemi.cn/site/pdf/Corporate_Fact_Sheet_cn.pdf
ON的IPM有1700V的产品吗？现在无， 计划在2021
现在最大是1200V 50A IPM.
IGBT用作太阳能逆变器和宽禁带器件用作太阳能逆变器，哪一个可以实现更好的效率和更小的体积？
宽禁带器件
跟英飞凌同类产品有什么不同的特点？
安森美的效率更高，散热更好
请问IGBT如果并联用什么方式好
IGBT并联也是很成熟的方案
TO-3PF封装耐压能达到多少？
1200V
IGBT在击穿之后，是短路还是开路呢
都有，短路见的多一点
请问ON，不同代的IGBT在哪些参数做了优化？还是只是应用场景不一样？
根据不同的应用条件会做不同的优化
请问ON在开关损耗和导通损耗如何平衡？
根据不同的应用来做优化，比如我们有高速版，中速版和低速版，对应不同的应用
请问安森美ON的IGBT的哪一些类型将不再发展，以后会停产的那种IGBT是哪一些类型？这样设计就不用它们！用新的！
老的系列大部分还在生产，新的系列包括SQD， MQD FL2， FL3等，都希望我们用户可以加强使用
请问一下，IGBT的关断时间在什么量级
us级
大功率IGBT模块，ON的产品好像不多见是吗？
已经投放市场多年， 主要用在太阳能逆变器/UPS/储能系统， 现在汽车模块也有
ON的IGBT模块目前涵盖多大电压电流等级的？
涵盖几千瓦到几百千瓦
应用在汽车上的IGBT主要是多大功率的，与逆变器使用的模块有什么不同
几十KW到一百多KW，与电机控制器一样
智能功率模块是带功率检测的吗？智能体现在哪里
智能是结合了驱动IC， 内有一些过温，过流的基本功能
仿真模型ON一般提供哪个格式的？
很多都可以，比如Pspice等，可以上官网找到
安森美本身的工业功率器件路线，IGBT器件还会继续发展么？宽禁带器件替换进度如何？
IGBT器件还是继续的，宽禁带是趋势，后面会越来越多
模块温度不仅跟内部电流有关，还有环境温度，通风条件，散热器面积，散热器方向。。。。？ 那么计算温度需要的条件怎么确定?
我们仿真只用固定的散热器温度，其它因数没法控制
安森美反激准谐振的IC目前有好几个型号，怎么选择啊？
首选NCP1342
贵司的IPM模块那么多，但具体的那种模块应用到哪里就搞不懂了，哪里有这种资料介绍或是可以学习的地方?
我们的IPM 主要聚焦在白家电， 风机， 小功率工业伺候变频， 还有汽车空调
成本上新器件的管子什么时候能够降低
主要是系统上的性能提升和总体系统成本下降
后续IGBT会不会被碳化硅全部取代？成本方面哪个低？
这主要看应用要求， 比如说能效要求，开关频率等，如只看IGBT会否被取代，答复是不会在这三五年的事了。
IGBT驱动这块有没有方案？
安森美有不少IGBT 或MOS 管驱动芯片，建议到我们网站或连络我们的代理询问有关资料
请问可以直接从官网采购器件么或者
请联系安森美半导体销售代表或授权代理商https://www.onsemi.cn/support/sales
输入并网逆变器可否调节输出交流的PF值
可以的，功率因数0.8 0.9都有
飞跨电容能够降低成本吗
目的就是为了降低成本
IGBT有时会突然损坏，请问这种明显可能的原因有那些
要看具体情况，很多原因会导致IGBT损坏
仿真软件需要进行哪些参数设置？
我们提供仿真，自己不能仿真
现在逆变器最高输入电压可以达到多少
1500V
现在IGBT工作频率能到多少？
IGBT 单管的话可以做到差不多100k， 模块就是20k以内
这里计算的损耗是在常规温度下吗？
只设定了散热器温度，不管常温
为什么关断损耗如此之低，与开关频率有关系吗
频率越低，损耗越小
三电平的优势是什么，是否可以降低管子成本
比2电平逆变器能效更高通过减小3电平中的电流总谐波失真(THD)，输出滤波更小低输入漏电流 - > 更小的输入滤波更接近理想的正弦波
请问这种大功率逆变器目前才有IGBT多还是第三代SIC MOSFET多？ 优势在于什么？
目前IGBT用的多，但是SIC是趋势
逆变器模块最大到160A的电流吗？外围电路是否需要散热设计？
目前最大有400A，需要散热器散热
请问安森美有这仿真软件没
有的
正常工作频率到多少？
一般20KHZ以内，想16KHZ，18KHZ，19.2KHZ
逆变开关电路是采用脉冲调试方式吗
一般使用 SVPWM， DPWM
课程简介
本次直播将全面介绍安森美半导体领先市场的工业方案，应用于太阳能、工业驱动、服务器、电动汽车充电桩、辅助电源等等，让您了解它们的细节及竞争优势。并有专家现场答疑解惑，以助工程师解决设计挑战，从而更快设计出高能效的满足市场需求的工业电源方案。
演讲老师
吴志民(Hector Ng)先生是安森美半导体中国区应用工程总监，负责领导公司中国区的技术和方案工程团队（包括安森美半导体各个解决方案工程中心）、新产品开发构思及定义，以及设计取胜等。他拥有 20 多年的半导体行业丰富经验，历任产品/技术市场营销、应用工程、至管理等要职。此前，他在美国国家半导体公司(已被 TI 收购)担任亚太区电源产品高级营销经理。更早前，他曾担任威雅利技术营销总经理、摩托罗拉应用工程经理、及冲电气工程经理。
Hector 持有香港理工大学电气工程高级文凭及英国谢菲尔德大学控制系统硕士学位。
刘宇思博士
Principal Applications Engineer
刘宇思博士是安森美 PIM 功率模块的高级应用工程师，在电力电子行业拥有 12 年丰富经验，当中 6 年专注于光伏逆变器的开发及研究。他曾任职于中国南方电网和安川电机美国光伏逆变器事业部。本科毕业于中国湖南大学，在美国阿肯色大学获得博士学位。
王利民
产品市场经理
王利民(Raymond Wang)先生是安森美半导体电源方案部产品市场经理，专注于电源方案部的产品和市场推广。他对各类功率器件拥有丰富经验，精通新材料、新能源、工业、以及汽车等市场和产品。王先生於浙江大学取得电力电子(功率电子学)硕士学位。
肖海斌
高级应用工程师
肖海斌(Haibin Xiao)先生是安森美半导体高级应用工程师，主要负责公司LED照明及电源管理芯片的推广、技术支持及整体方案的设计。肖先生于 2006 年毕业于湖南科技大学自动化专业。毕业后，一直从事开关电源研发及方案设计，对开关电源设计有丰富的经验。
许宾
应用经理
许宾(Steven Xu)先生是安森美半导体应用经理，主要负责电机控制方案的设计与推广工作。他专注于工业和白色家电行业的应用，积累了丰富的开发和应用经验，为客户提供可靠的高性价比电机控制解决方案。许先生毕业于深圳大学并持有硕士学位。